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电晕处理工艺路线有三种：第一种是在薄膜生产中进行处理；第二种是在印刷、复合中进行处理；第三种是在薄膜生产中进行第一次处理，再在印刷、复合中进行第二次处理。
对后两种工艺路线，由于是处理后当即印刷、复合，因此，不存在处理后放置过久、效果不稳定、表面张力下降的问题。但对第一种工艺路线，可能会相隔较长时间才印刷、复合，由于处理效果变差，出现印刷、复合质量问题。所以，要求电晕处理与印刷的间隔时间缩短。
传统的6052聚酰亚胺薄膜导热系数仅为0．16 w／(m·K)左右，应用于微电子的高密度和高速化运行时容易出现电路过热，影响元器件和集成电路的稳定性，高导热PI膜是顺应市场需求而产生的产品，其制备工艺和原理与耐电晕PI膜类似，都是将具有特殊功能的纳米填料掺杂人到聚酰胺酸树脂中，再高温亚胺化成膜，使得薄膜具有相应的功能。同样，高导热PI膜所需要解决的问题也是如何将纳米填料均匀分散在树脂体系中。
采用KH550偶联剂对氮化铝粒子表面进行物化处理，提高有机一无机两相界面的结合力，然后使用原位聚合将纳米氮化铝加入到聚酰亚胺中，纳米氮化铝含量为13％时，纳米复合薄膜的导热系数由纯PI膜的0．16 w／(m·K)提高至0．26W／(m·K)。
公开了一种高导热聚酰亚胺薄膜的制备方法，使用表面经偶联剂处理后的氮化铝或碳化硅改性传统的聚酰胺酸树脂，再流延至不锈钢带上，经高温干燥后得到高导热低热膨胀系数的PI膜，其导热系数达到0．61 w／(m·K)以上，而热膨胀系数在30 ppm／K以下。
